重大消息:清华大学开发出理想的极紫外(EUV)光刻胶材料
阿财网 7 月 26 日消息,随着集成电路工艺向 7nm 及以下节点不断推进,13.5 nm 波长的 EUV 光刻成为实现先进芯片制造的核心技术。但 EUV 光源反射损耗大、亮度低等特点,对光刻胶...
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2025-07-26 19:07:58阅读:38
阿财网 7 月 26 日消息,随着集成电路工艺向 7nm 及以下节点不断推进,13.5 nm 波长的 EUV 光刻成为实现先进芯片制造的核心技术。但 EUV 光源反射损耗大、亮度低等特点,对光刻胶...
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